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篜发材料 |
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一氧化硅（SiO） |
熔点（℃） |
1705 |
生产方法 |
反应合成 |
蒸发温度（℃） |
1200-1600 |
透明区域（um） |
0.8-8.0 |
蒸发源 |
E.B Mo |
折射率(n/d) |
1.8@1.0um |
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单晶氧化镁（MgO） |
熔点（℃） |
2640 |
生产方法 |
晶体法 |
蒸发温度（℃） |
2800-3200 |
透明区域（um） |
- |
蒸发源 |
E.B |
折射率(n/d) |
1.7@0.55um |
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氧化铟锡（9:1,ITO） |
熔点（℃） |
2000 |
生产方法 |
热压 |
蒸发温度（℃） |
1900 |
透明区域（um） |
0.4-2 |
蒸发源 |
E.B |
折射率(n/d) |
2.0@0.55um |
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白色氧化锆（ZrO2） |
熔点（℃） |
2700 |
生产方法 |
热压 |
蒸发温度（℃） |
约2400 |
透明区域（um） |
0.32-7 |
蒸发源 |
E.B,W |
折射率(n/d) |
1.96@0.55um |
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